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第一章 绪论
第二章 金属半导体肖特基接触的基本理论
第三章 AlGaN/GaN肖特基结参数分析与电流运输机理研究
第四章 AlGaN/GaN HEMT肖特基高温退火机理研究
第五章 结束语
致谢
参考文献
作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目
王欣娟;
西安电子科技大学;
肖特基接触; 理想因子; 势垒高度; 函数优化; 异质结;
机译:热应力对AlGaN / GaN异质结构肖特基接触中AlGaN势垒层的相对介电常数的影响
机译:热应力对AlGaN / GaN异质结构肖特基接触中AlGaN阻挡层的相对介电常数的影响
机译:GaN / AlGaN / AlN / GaN高电子迁移率晶体管在肖特基接触下的陷阱态研究
机译:金刚石沉积过程中AlGaN / GaN异质结构上的肖特基接触金属化稳定性
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:硅(111)基质上的Algan / gan和Inaln / GAN二极管和高迁移率晶体管的CMOS相容氧化钌肖特基接触的研究
机译:用于GaN,GaN / alGaN和GaN / InGaN核壳纳米线中少数载流子扩散的无接触测量的传输成像。
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
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