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何云龙;
西安电子科技大学;
氮化物半导体; 增强型; HEMT器件;
机译:具有包裹式控制栅结构的新型2位/单元金属氧化物-氮化物-氧化物-半导体半导体存储器件可实现源侧热电子注入
机译:具有高κ栅极电介质的高效Ⅲ-氮化物MIS-HEMT器件,用于大功率开关升压转换器电路
机译:TEM成像,分析和电子全息在Ⅲ型氮化物HEMT器件中的应用
机译:同步辐射纳米束X射线衍射观察氮化物半导体HEMT器件中压电响应的局部晶格变形动力学
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:使用基于氮化物的半导体二极管的氢传感器:金属/半导体界面的作用
机译:分级极化体掺杂实现宽电子板的实现 III-V族氮化物半导体合金
机译:磁控管增强型反应离子刻蚀III族氮化物半导体材料
机译:增强型III族氮化物HEMT器件的制造方法以及由其制造的III族氮化物结构
机译:用化学计量比的氮化硅氮化物制造半导体HEMT器件的方法
机译:增强模式III族氮化物HEMT器件的制造方法和由此制造的III族氮化物结构
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