声明
摘要
符号表
第一章 绪论
§1-1 GaN基材料研究进展及意义
§1-2 AlGaN/GaN HFETs器件研究进展
1-2-2 增强型AlGaN/GaN HFETs器件研究进展
§1-3 实现增强型AlGaN/GaN HFETs几种方法及其发展
§1-4 本论文的研究内容与安排
第二章 凹槽栅AlGaN/GaN HFETs器件的制备、测试和工作原
2-1-2 外延生长
§2-2 AlGaN/GaN HFETs器件制备
2-2-2 光刻工艺
2-2-3 器件隔离工艺
2-2-5 栅槽刻蚀工艺
2-2-7 肖特基接触工艺
2-3-2 AlGaN/GaN HFETs器件测试方法
§2-4 AlGaN/GaN HFETs器件的工作原理
第三章 极化库仑场散射对凹栅槽AlGaN/GaN HFETs器件迁移率影响研究
§3-1 AlGaN/GaN HFETs器件中散射机制
§3-2 极化库仑场散射对凹栅槽AlGaN/GaN HFETs器件迁移率的影响
第四章 极化库仑场散射对凹栅槽耗尽型AlGaN/GaN HFETs器件栅源通道电阻RSch和非本征跨导gm的影响
§4-1 极化库仑场散射对凹栅槽耗尽型AlGaN/GaN HFETs器件栅源通道电阻RSch的影响
§4-2 极化库仑场散射对凹栅槽耗尽型AlGaN/GaN HFETs非本征跨导孙的影响
第五章 极化库仑场散射对凹栅槽增强型AlGaN/GaN HFETs器件特性影响研究
§5-1 极化库仑场散射对凹栅槽增强型AlGaN/GaN HFETs器件2DEG电子迁移率的影响
§5-2 极化库仑场散射对凹栅槽增强型AlGaN/GaN HFETs栅源通道电阻磁的影响
第六章 结论
参考文献
致谢
学位论文评阅及答辩情况表
山东大学;