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氧化钨半导体光催化剂的改性及其光电催化性能研究

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摘要

第1章绪论

1.1半导体光催化技术概述

1.1.1半导体光催化背景

1.1.2半导体光催化原理

1.1.3传统光催化剂的改进与新型光催化剂的研发

1.1.4光催化研究现状

1.2 WO3基半导体光催化剂

1.3.2 WO3的形貌改性

1.3.3 WO3金属和非金属掺杂

1.3本论文的选题思想和研究内容

第2章氧化钨生长方向对其性能影响机理探究

2.1引言

2.2实验部分

2.2.1仪器及化学试剂

2.2.2 WO3的制备

2.2.3表征及测试方法

2.2.4光催化实验

2.2.5光电性能测试方法

2.3结果与讨论

2.3.1材料表征

2.3.2机理讨论

2.4本章小结

第3章表面结构对氧化钨的性能影响及其机理探究

3.1引言

3.2实验部分

3.2.1化学试剂及仪器

3.2.2样品的制备

3.2.3表征与测试手段

3.2.4光催化降解性能测试

3.2.5光电化学测试

3.3结果与讨论

3.3.1 WO3材料表征

3.3.2机理讨论

3.4本章小结

第4章结晶水对氧化钨的性能影响及其机理探究

4.1引言

4.2实验部分

4.2.1化学试剂及仪器

4.2.2 WO3的制备及再处理

4.2.3表征与测试方法

4.2.4降解性能测试方法

4.2.5光电化学测试方法

4.3结果与讨论

4.3.1 WO3材料表征

4.3.2机理讨论

4.4本章小结

第5章总结与展望

5.1本论文的主要结论

5.2本论文的创新点

5.3展望

参考文献

致谢

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