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第一章绪 论
1.1静电场传感器发展概述
1.1.1电荷感应式静电场传感器
1.1.2光学式静电场传感器
1.2电场传感器的发展趋势
1.3本论文的主要工作
1.4结束语
第二章基本感应结构的设计、分析与模拟
2.1基本感应结构的设计
2.1.1半导体的表面态与表面电场效应
2.1.2电场中的半导体
2.1.3基本感应结构的设计及原理分析
2.2基本感应结构的公式推导及结构模拟
2.2.1公式推导
2.2.2结构模拟
2.3外界环境对感应结构的影响
2.3.1温度变化对感应结构的影响
2.3.2空间离子辐射对感应结构的影响
2.4 小结
第三章集成静电场微传感器结构的设计
3.1桥式静电场微传感器的工作原理及结构设计
3.1.1桥式电路的工作原理
3.1.2桥式结构静电场微传感器的结构设计
3.2抗辐射静电场微传感器的结构设计
3.2.1 SOI技术
3.2.2 SOI抗辐射结构
3.2.3微加工技术
3.2.4微加工抗辐射结构
3.3电场方向的判断
3.4小结
第四章集成静电场微传感器的工艺与版图设计
4.1集成静电场微传感器的感应结构部分的工艺流程
4.1.1基本感应结构的工艺流程
4.1.2 SOI抗辐射结构的工艺流程
4.1.3微加工抗辐射结构的工艺流程
4.2桥式电场微传感器的版图设计
4.3 小结
第五章结束语
5.1工作总结
5.2后续工作建议及展望
参考文献
附录
图表索引
攻读硕士期间发表的论文
攻读硕士期间申请的专利
致谢