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摘要
第一章 绪论
1.1 课题背景与意义
1.1.1 单项全桥三电平逆变电路工作原理
1.1.2 超结VDMOS器件在充电桩单项全桥三电平逆变电路中的应用优势
1.1.3 单项全桥三电平逆变电路中超结VDMOS体二极管反向恢复问题
1.2 超结VDMOS器件体二极管反向恢复研究现状
1.3 论文主要工作与设计指标
1.3.1 论文主要工作
1.3.2 设计指标
1.4 论文结构与安排
第二章 超结VDMOS体二极管反向恢复基础理论及研究平台搭建
2.1 超结VDMOS器件及其体二极管结构
2.1.1 超结VDMOS器件结构
2.1.2 超结VDMOS体二极管结构
2.2 超结VDMOS体二极管反向恢复基础理论
2.2.1 感性钳位系统工作原理
2.2.2 体二极管反向恢复原理及其影响因素
2.3 超结VDMOS体二极管反向恢复测试及仿真平台
2.3.1 测试平台
2.3.2 仿真平台
2.4 本章小结
第三章 超结VDMOS体二极管反向恢复鲁棒性研究
3.1 超结VDMOS体二极管反向恢复测试
3.1.1 超结VDMOS体二极管反向恢复负载电压测试
3.1.2 超结VDMOS体二极管反向恢复负载电流测试
3.1.3 超结VDMOS体二极管反向恢复电流变化率测试
3.2超结VDMOS体二极管反向恢复失效机理研究
3.2.1 超结VDMOS体二极管反向恢复失效定位
3.2.2 超结VDMOS体二极管反向恢复失效分析
3.3 正向续流时间对超结VDMOS体二极管反向恢复鲁棒性的影响
3.4 本章小结
第四章 超结VDMOS体二极管反向恢复鲁棒性优化
4.1 新型动态场限环结构设计
4.2 新型动态场限环结构对器件静态参数的影响
4.3 带新型动态场限环结构的超结VDMOS反向恢复仿真结果
4.4 带新型动态场限环结构的超结VDMOS器件的流片及测试结果
4.4.1 动态场限环超结VDMOS工艺流程
4.4.2 动态场限环超结VDMOS器件的实测结果
4.5 本章小结
第五章 总结与展望
5.1 总结
5.2 展望
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间的成果和发表的论文