声明
第一章 绪论
1.1 课题研究背景
1.2 国内外相关研究
1.3 本文研究内容
1.4 本文组织结构
第二章 电荷共享对SRAM单元SEU敏感性的影响
2.1 引言
2.2 模拟设置
2.3 模拟结果与分析
2.4 模拟结果讨论
2.5 本章小结
第三章 SRAM单元的SEUR机理与增强方法研究
3.1 引言
3.2 关态PMOS和开态PMOS间电荷共享导致的SEUR研究
3.3 关态PMOS和开态NMOS间电荷共享导致的SEUR研究
3.4 本章小结
第四章 3D SRAM堆叠结构对软错误特性的影响
4.1 引言
4.2 重离子在三维堆叠结构中的射程
4.3 三维堆叠结构中各层管芯的软错误特性分析
4.4 TSV对软错误特性的影响
4.5 本章小结
第五章 3D SRAM软错误分析平台
5.1 引言
5.2 平台框架
5.3 平台设计
5.4 平台验证
5.5 本章小结
第六章 3D SRAM软错误特性研究
6.1 引言
6.2 3D SRAM设计
6.3 3D SRAM软错误特性分析
6.4 本章小结
第七章 结束语
7.1 工作总结
7.2 未来研究方向
致谢
参考文献
作者在学期间取得的学术成果