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AlGaN一维纳米材料的制备、生长机理和光电探测器研究

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目录

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第1章 绪论

1.1 前言

1.2 AlGaN材料及器件研究现状

1.3 本文的主要研究内容

第2章 AlN、AlGaN纳米材料的制备与表征

2.1 生长及测试设备简介

2.2 AlN纳米结构的制备与表征

2.3 AlGaN纳米结构的制备与表征

2.4 本章小结

第3章 催化剂及纳米材料生长机理研究

3.1 催化剂研究的意义

3.2 催化剂退火形貌的研究

3.3 催化剂对产物的成分及结构影响

3.4 催化剂辅助的纳米线生长机理

3.5 本章小结

第4章 AlGaN光电探测器研究

4.1 材料的制备

4.2 测试手段

4.3 紫外探测器制备、测试与分析

4.4 本章小结

第5章 结论与展望

参考文献

附录

致谢

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著录项

  • 作者

    蒋仁杰;

  • 作者单位

    武汉大学;

  • 授予单位 武汉大学;
  • 学科 微电子学与固体电子学
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 孟宪权;
  • 年度 2019
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 中文
  • 中图分类
  • 关键词

    AlGaN; 一维纳米材料; 制备; 生长机理;

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