声明
1绪论
1.1Ⅲ族氮化物材料基本性质
1.2 GaN/AlGaN量子阱结构的研究背景及意义
1.3 GaN/AlGaN量子阱结构的研究进展
1.4本论文的研究内容及组织结构
2 GaN/AlGaN量子阱结构的理论和实验研究方法
2.1 AlGaN材料的基本性质与极化效应
2.2 GaN/AlGaN量子阱带内和带间跃迁理论计算方法
2.3 MOCVD材料外延生长技术
2.4材料测试表征技术
2.5本章小结
3 GaN/AlGaN量子阱太赫兹子能级跃迁研究
3.1太赫兹简介
3.2 量子阱极化电场调控研究
3.3阶梯量子阱太赫兹波段子能级跃迁
3.4量子阱结构参数对子能级跃迁的影响
3.5掺杂对子能级跃迁的影响
3.6本章小结
4 GaN/AlGaN量子阱光学二阶非线性极化率研究
4.1光学二阶非线性效应简介
4.2传统量子阱中二阶非线性极化率特性
4.3阶梯型量子阱中二阶非线性极化率特性
4.4双共振三能级系统增强二阶非线性极化率
4.5本章小结
5 GaN/AlGaN量子阱结构激子发光特性研究
5.1极性c面GaN/AlGaN量子阱结构激子发光特性研究
5.2非极性a面GaN/AlGaN量子阱结构激子发光特性研究
5.3本章小结
6极化工程提升GaN/AlGaN量子阱结构发光效率研究
6.1 AlGaN基紫外LED发光效率及影响因子简介
6.2极化电场对发光内量子效率的影响
6.3 AlGaN模板外延生长及发光特性研究
6.4 GaN/AlGaN量子阱结构MOCVD外延生长
6.5 GaN/AlGaN量子阱结构内量子效率增强机制研究
6.6 本章小结
7总结与展望
7.1工作总结
7.2 展望
致谢
参考文献
附录1攻读博士学位期间发表的论文
附录2攻读博士学位期间申请的专利
华中科技大学;