石榴石磁泡薄膜中第一类哑铃畴的温度特性

摘要

该文实验研究了石榴石磁泡薄膜中第一类哑铃畴的温度特性,具体测量了ID在条泡转变标准场H<,sb>'和硬泡标准场H<,0>'处畴长随温度的变化关系,发现ID在条泡转变标准场H<,sb>'和硬泡标准场H<,O>'处其畴长随温度的升高而增大,通过与不含VBL的软磁泡泡径随温度的变化的实验比较.并通过J.C.Slonczewski所给出的VBL的平衡间距公式分析得出ID畴壁中VBL间的平衡间距(S<,eq>)随温度的升高而增大,这与以前人们所得到的OHB畴壁中VBL间平衡间距(S<,eq>)随温度的升高而减小的结论不一致,并对此进行了分析.在此基础上,我们又进一步观察了ID在不丢失VBL的前提下,其随温度变化的行为.我们在实验基础上,设计了压缩状态下第一类哑铃畴ID的阈值温度T<,O><'1>和临界温度T<,O>随直流偏场(H<,b>)的变化关系.结论;一、ID畴壁中VBL间的平衡间距(S<,eq>)随温度的升高而增大.二、当直流偏场小于条泡转变场时,ID畴壁中的VBL是部分分布而不是占据整个畴壁.

目录

文摘

英文文摘

主要符号对照表

第一章绪论

第二章磁畴和磁畴壁物理

一 磁畴和磁泡

二 磁泡的形成和磁泡的静态理论

三 磁畴壁和布洛赫线

四 三类硬磁畴的分类和实验研究

第三章实验内容

一实验准备

二温度对ID畴壁中VBL间平衡间距的影响

三高温下产生的ID在室温下向OHB的转化

四室温下产生的ID在高温下向ⅡD的转化

五直流偏场对阈值温度的影响

六直流偏场对临界解体温度的影响

第四章结论

参考文献

致谢