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第一章 绪论
1.1应用于空间的器件可靠性问题
1.2本课题研究意义,研究内容
1.3本章小结
第二章 NMOS元件在ESD应力下的特性分析
2.1 NMOS元件用于ESD保护的工作原理
2.2 NMOS器件ESD应力下工作模型
2.2.1寄生晶体管开启前模型
2.2.2寄生晶体管开启后模型
2.3 ESD应力测试——TLP测试技术
2.3.1 TLP测试系统介绍
2.3.2 TLP测试方法介绍
2.4本章小结
第三章 总剂量效应及空间充放电问题
3.1总剂量效应
3.1.1辐射环境
3.1.2电离辐射和总剂量效应
3.2空间充放电问题
3.2.1航天器的充电有关的因素
3.2.2航天器充电
3.3本章 小结
第四章 ESD和辐照综合应力对器件的可靠性影响研究
4.1 NMOS管辐照实验
4.2 栅压对NMOS器件TLP测试特性的影响
4.2.1样品和实验说明
4.2.2测试数据及其分析
4.2.3 GGNMOS的TLP测试参数随沟道宽度、沟道长度变化特性
4.2.4 栅压对NMOS器件TLP测试参数的影响统计
4.3本章小结
第五章 实验现象的机理分析以及结果预计
5.1实验结果分析
5.1.1 开启电压随栅压的变化分析
5.1.2 It2随栅压的变化分析
5.1.3 栅压对It2的影响和沟道宽度和长度的依赖关系
5.2辐照下NMOS抗ESD特性变化预计
5.3本章小结
总结
参考文献
攻读学位期间发表的学术论文
致谢