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第一章绪论
1.1 Si基中远红外光电器件的研究背景和意义
1.2 Si基中远红外光电器件的研究进展和存在的问题
1.3本文工作及其组织结构
参考文献
第二章应变Si/SiGe量子阱空穴能级和子带跃迁
2.1 k·p方法计算应变Si/SiGe量子阱的能带结构
2.1.1理论方法
2.1.2能带计算参数
2.1.3 Si/SiGe量子阱的空穴能级
2.2压应变Si/SiGe空穴有效质量
2.3压应变Si/SiGe量子阱空穴子带跃迁与光吸收
2.3.1空穴子带跃迁动量矩阵元
2.3.2 p型掺杂量子阱空穴态密度和费米能级
2.3.3空穴子带跃迁光吸收谱
2.4张应变Si/SiGe量子阱空穴能级和子带光吸收
2.4.1张应变Si/SiGe量子阱空穴能级和有效质量
2.4.2 p型掺杂张应变Si/SiGe量子阱空穴态密度和费米能级
2.4.3张应变Si/SiGe量子阱空穴子带光吸收谱
2.5本章小结
参考文献
第三章Si/SiGe量子级联激光器的能带设计和波导优化
3.1 Si/SiGe量子级联激光器的能带计算
3.1.1 Si/SiGe量子级联激光器的工作原理
3.1.2 Si/SiGe量子阱空穴子带的能量间距
3.1.3中红外Si/SiGe量子级联激光器的能带设计
3.1.4太赫兹Si/SiGe量子级联激光器的能带设计
3.2 Si/SiGe量子级联激光器的增益系数
3.3太赫兹Si/SiGe量子级联激光器的波导和损耗
3.3.1太赫兹Si/SiGe量子级联激光器的波导结构
3.3.2 Drude模型和波导材料介电常数
3.3.3太赫兹波导的限制因子和模式损耗
3.4本章小结
参考文献
第四章B-QB模式Si/SiGe量子阱红外探测器优化设计
4.1压应变Si/SiGe量子阱红外探测器的能带设计
4.2 张应变Si/SiGe量子阱红外探测器的能带设计
4.3正入射Si/SiGe量子阱红外探测器的品质因子
4.3.1光电流和光电导增益
4.3.2响应度和捕获概率
4.3.3量子效率
4.3.4暗电流
4.3.5暗电流噪声和探测灵敏度
4.4张应变Si/SiGe量子阱红外探测器的品质因子
4.4.1量子效率和响应谱
4.4.2暗电流和探测灵敏度
4.5本章小结
参考文献
第五章正入射型Si/SiGe QWIP材料生长与器件研制
5.1 Si/SiGe量子阱红外探测器材料生长的若干问题探讨
5.1.1 UHV/CVD外延生长Si/SiGe异质结量子阱
5.1.2 Si/SiGe材料系的p型原位掺杂
5.1.3一种计算Si/SiGe异质结外延生长速率和组分的新方法
5.1.4 Si/SiGe量子阱红外探测器的材料结构
5.2正入射Si/SiGe量子阱红外探测器制作关键工艺
5.2.1器件版图设计
5.2.2工艺流程
5.2.3器件暗电流特性
5.3正入射Si/SiGe量子阱红外探测器的红外吸收测试
5.3.1傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)
5.3.2 p型衬底Si材料的红外光吸收
5.3.3自由载流子吸收
5.3.4不同温度下Si/SiGe量子阱红外探测器的红外光吸收谱
5.4本章小结
参考文献
第六章全文总结和展望
获奖和论文发表情况
致谢