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目录
1 绪 论
1.1自旋电子学简介
1.2半金属材料与稀磁半导体的研究现状
1.3本文研究的目的、意义及主要研究内容
2 第一性原理及计算软件简介
2.1引言
2.2 三个基本近似
2.3密度泛函理论(DFT)
2.4平面波赝势方法
2.5 CASTEP简介
2.6本章小结
3 V、Cr、Mn掺杂纳孔结构AlN的第一性原理研究
3.1引言
3.2理论模型与计算方法
3.3 计算结果及分析
3.4 本章小结
4 Cr掺杂浓度和Cr掺杂位置对纳孔结构AlN磁电性能影响的第一性原理研究
4.1引言
4.2理论模型和计算方法
4.3 Cr掺杂浓度对纳孔结构AlN电磁性质影响的计算结果与分析
4.4 Cr掺杂位置对纳孔结构AlN磁电性能的影响
4.5本章小结
5 结论与展望
5.1主要结论
5.2 后续研究工作展望
致谢
参考文献
附录
重庆大学;