ENSIGC/INPT, Laboratoire de Genie Chimique, 18 chemin de la Loge, 31078 Toulouse cedex 4, France;
机译:硅烷热解法在多晶硅低压化学气相沉积过程中成膜初期的动力学
机译:沉积和结晶动力学对通过硅烷和乙硅烷的低压化学气相沉积法沉积的硅膜性能的影响
机译:使用低压化学气相沉积法沉积低应力多晶硅薄膜
机译:硅烷热解硅烷低压化学气相沉积多晶硅初始阶段的动力学
机译:大气压化学气相沉积法将非晶碳化硅薄膜沉积在熔融石英上。
机译:用于进一步缩小超大型集成器件-Cu互连的等离子增强化学气相沉积SiCH膜的低k覆盖层的材料设计
机译:沉积和结晶动力学对通过硅烷和乙硅烷的低压化学气相沉积法沉积的硅膜性能的影响
机译:单晶硅上LpCVD(低压化学气相沉积)钨膜隧道形成条件