Massachusetts Institute of Technology, EECS, Room 39-567, Cambridge, MA 02139;
机译:辊式线性CMP(roll-CMP)工艺中材料去除率的数学模型:抛光垫的作用
机译:凹陷对Cu CMP中抛光时间和浆料化学性质的依赖性
机译:使用侧壁间隔物图案和CMP工艺制造非对称独立双栅FinFET
机译:PD过程的物理建模和数学描述及其在PRPD模式中的应用
机译:基于统计分析和基于传感器的用于半导体应用的铜覆盖晶片的电化学机械抛光(ECMP)建模。
机译:从模式到过程:加拿大山猫循环中的相位和密度依赖性
机译:模式对Cu Cmp腐蚀的影响