New Imaging Technologies SA, Verrieres le Buisson, 91370 France;
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New Imaging Technologies SA, Verrieres le Buisson, 91370 France;
New Imaging Technologies SA, Verrieres le Buisson, 91370 France;
机译:带有SRH和TAT暗电流的2.6μmMBE生长InGaAs探测器
机译:使用低暗电流InGaAs检测器阵列和垂直腔表面发射激光照明器的短波红外成像
机译:(NH_4)_2S钝化处理对InGaAsSb PIN探测器的暗电流-电压特性的影响
机译:具有全局快门的对数InGaAS探测器和主动暗电流减少
机译:减少GaAs和InGaAs有源区中的侧壁界面复合
机译:低寄生光灵敏度和低暗电流2.8μm全局快门像素的发展
机译:低寄生光敏感性和低暗电流2.8μm全局快门像素的开发