IBM Research, T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY 10598;
机译:基于有机莫特绝缘子的场效应晶体管界面处的非对称相变
机译:在有机场效应晶体管界面观察到填充控制的Mott转变的临界行为
机译:在有机场效应晶体管界面观察到填充控制的Mott转变的临界行为
机译:MOTT过渡场效应晶体管的前景
机译:纳米线隧道场效应晶体管:前景与陷阱。
机译:上临界场在富勒超导体的莫特跃迁附近达到90 tesla
机译:基于分子层中莫特跃迁的场效应晶体管
机译:磁铁中mOTT-WIGNER转变的现象分子场理论