Department of Materials Engineering, Ben Gurion University of the Negev, Beer Sheva, 84105, ISRAEL;
机译:离轴磁控共溅射PbTe薄膜层级结构的形貌演化及生长机理
机译:磁控溅射法生长和表征PbTe薄膜
机译:衬底偏置电压对磁控溅射沉积PbTe薄膜的影响
机译:磁控溅射的PBTE薄膜的生长
机译:氮化铬和氮化铬铝外延膜,用于通过AC反应磁控溅射法生长α-氧化铝。
机译:SC0.09Al0.91N和SC0.18A10.82N的外延生长通过磁控溅射对表面声波应用的磁控溅射薄膜
机译:直流磁控溅射与大功率脉冲磁控溅射工艺在不同惰性气体条件下CNX薄膜生长的比较研究