Department of Materials Chemistry, Tohoku University, Aoba-yama 07, Sendai, 980-8579, Japan;
机译:碘填充方钴矿I_(0.9)Rh4Sb_(12)-第一阴离子填充方钴矿的高压合成,结构及电性能
机译:碘填充方钴矿I_(0.9)Rh4Sb_(12)-第一阴离子填充方钴矿的高压合成,结构及电性能
机译:碘填充方钴矿I0.9Rh4Sb12(第一阴离子填充方钴矿)的高压合成,结构及电性能
机译:新杀死Skutterudites的高压合成
机译:高压合成的部分填充方钴矿RxCo4Sb12(R = La,Ce和Nd)的热电性质
机译:p型CeyFe4-xCoxSb12 Skutterudites的高压合成
机译:Ge取代填充skutterudite化合物的高压合成,结构和磁性; LnxCo4sb12-yGey,Ln = La,Ce,pr和Nd
机译:Co(sub(1-x)ni)(sub X)p(sub 3)和Coas((sub 3-x))p(sub x)skutterudites的合成和热电性质