Department of Chemistry, University of Aarhus, Arhus, Denmark;
机译:勘误表:“包合物Ba_8Ga_(16)Ge_(30),Sr_8Ga_(16)Ge_(30),Ba_8Ga_(16)Si_(30)和Ba_8In_(16)Sn_(30)的能带结构和热电性质” [J 。化学物理115,8060(2001)]
机译:包合物Ba_8Ga_(16)Ge-(30),Sr_8Ga_(16)Ge_(30),Ba_8Ga_(16)Si_(30)和Ba_8In_(16)Sn_(30)的结构和稳定性
机译:包合物Ba_8Ga_(16)Ge_(30),Sr_8Ga_(16)Ge_(30),Ba_8Ga_(16)Si_(30)和Ba_8In_(16)Sn_(30)的能带结构和热电性能
机译:固体核密度分析。 ba_8ga_(16)si_(30)的情况
机译:大肠埃希氏菌30S核糖体的组装:Prescresor-16S-RNA的组装性能。
机译:氢键和堆积密度是与30S核糖体中16S rRNA的高柔韧性限制位点最紧密相关的因素
机译:掺Sb的VIII型笼形Ba_8Ga_ {16} Sn_ {30}的电结构和热电性能
机译:隔离器过渡中的双体弱轴向电荷密度和核结构相关效应sup 16 O(O sub 1+)可逆sup 16 N(O sub 1-)