Sony Corporation, Technical Support Center, Yokohama, Japan;
机译:使用低能氮束的超浅砷植入物深度剖析
机译:使用RBS和NRA结合沟道He〜+离子束研究(BGa)As和(BGa)P薄膜中硼晶格的位置
机译:GaN中注入的Ca和Sr的晶格位置和退火行为
机译:使用离子束分析的Si中超浅植入B的晶格网站位置
机译:使用等离子体浸没离子注入和外延二硅化钴作为掺杂源的超浅结制造。
机译:基于采集过程中头部方向的植入物部位线性测量评估:使用锥形束计算机断层扫描的体外研究
机译:ZnO单晶中稀土注入的晶格位置研究