Agere Systems, Orlando FL 32819;
机译:大剂量注入磷的4H-SiC:微波和常规注入后退火温度> = 1700摄氏度
机译:大剂量注入磷的4H-SiC:微波和常规注入后退火,温度≥1700°C
机译:Eu离子剂量和退火温度对Eu注入AlN薄膜结构和光学性能的影响
机译:植入剂量和尖峰退火温度关系
机译:氮化镓和氮化镓基器件的高级处理:超高温退火和注入结合。
机译:快速注热退火后注入低通量Si +的SiO2薄膜在室温下的光致发光位移
机译:回收金刚石上的垂直边缘石墨层(001)高剂量离子注入和高温退火后(物理。现实Solidi B 9/2017)