Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, TAIWAN;
机译:绝缘体上硅中超浅B注入的扩散和激活:范围末端缺陷溶解和掩埋的Si / SiO_2界面
机译:通过掠入射散射X射线散射研究了Xe注入后Si中端部缺陷的演变
机译:基质诱导的自体间充质干细胞移植与基质诱导的自体软骨细胞移植治疗膝关节软骨缺损:为期2年的随机研究
机译:Sb植入诱导突出型缺陷的研究
机译:过渡金属自由磁性SiC的新方法:自离子注入后缺陷感应磁。
机译:植入物放置深度对结扎诱导的种植体周围炎中种植体周围骨缺损形态的影响:在狗中进行的实验研究
机译:绝缘体上硅中超浅B注入的扩散和激活:范围末端缺陷溶解和掩埋的Si / SiO2界面
机译:spE生长入射和鞘内注入硅的缺陷和溶解极限的研究