TCAD RD, Synopsys, Inc. 700 E. Middlefield Rd, Mountain View, CA 94043, USA;
机译:不同空隙模式对芯片级封装功率器件性能影响的数值研究
机译:模拟应力对硅工艺和器件的影响
机译:MOS器件中应力引起的泄漏电流和碰撞电离的建模
机译:建模包装应力对设备性能的影响
机译:封装半导体器件的热建模和应力分析。
机译:铜掺杂对基于La的RRAM器件性能的影响
机译:半导体器件的封装应力效应的器件仿真:器件中应力分布的影响评估