School of Materials Science and Engineering, Seoul National University, Seoul 151-744 Korea;
damascene Cu; microstructure; stress; low-k dielectric; finite element analysis; x-ray diffraction;
机译:低k电介质对铜互连中应力和应力诱发的损伤的影响
机译:有效的铜表面预处理,用于具有高耐等离子体性的超低介电常数(k = 2.2)的高可靠性22 nm节点铜双镶嵌互连
机译:介电材料对镶嵌铜线应力诱发损伤模式的影响
机译:微观结构和介电材料对镶嵌铜/低k互连中应力引起的损伤的影响
机译:双镶嵌铜与低k聚合物电介质互连。
机译:用于进一步缩小超大型集成器件-Cu互连的等离子增强化学气相沉积SiCH膜的低k覆盖层的材料设计
机译:过渡到Cu,镶嵌和低k电介质用于集成电路互连,对工业的影响。