Department of Chemistry, University of Wisconsin-Madison, Madison, Wisconsin 53706;
机译:表面处理和退火温度对与p-GaN形成低电阻Au / Ni欧姆接触的影响
机译:在p-GaN上形成高反射性Ni / Ag / Ti / Au接触
机译:使用Au / Ni-Zn-O金属化与p-GaN的欧姆接触
机译:X射线照相机射击在Au,Ni和Ti金属触点形成期间N-an和P-GaN上的表面费米级运动和PinQue
机译:高临界转变温度超导体的光发射研究:掺杂依赖性,费米表面,超导间隙和金属-超导体界面。
机译:缺陷MoS2 /金属触点中占优势的电荷传输和费米能级固定
机译:X射线光电发射测定金属触点对n-GaN和p-GaN的肖特基势垒高度
机译:Ni al,Ti(Ni Co),Cu Zn,al和Ti合金中马氏体相变附近费米能级的声子谱和态密度的演化