机译:低于0.5 V 4 Mb 65 nm逻辑过程兼容的嵌入式电阻式RAM(ReRAM)宏的低压大容量漏极驱动读取方案
机译:使用逻辑过程垂直寄生BJT(VPBJT)开关和无读取干扰的温度感知电流模式读取方案的高效区域嵌入式电阻式RAM(ReRAM)宏
机译:高速7.2ns读写随机存取4-Mb嵌入式电阻式RAM(ReRAM)宏,使用耐工艺变化的电流模式读取方案
机译:使用具有45ns随机读取时间的低压电流模式感测方案,在65nm CMOS中兼容0.5V 4MB逻辑工艺兼容嵌入式电阻RAM(RERAM)