Advanced Electronic Materials Laboratory, Faculty of Engineering, Muroran Institute ofrnTechnology, Mizumoto-cho, Muroran-shi, 050-8585, Hokkaido, Japan 276 Hiawatha Road,rnToronto ON, CanadarnM4L 2Y4,rnTel/Fax: (416) 461 7201rnE-mail: clsrizal@iee.org;
机译:应变对脉冲电化学沉积生长的Co / Ag多层膜磁输运性能的影响
机译:高质量Co:ZnO和Mn:ZnO单晶脉冲激光沉积膜的磁输运特性:与高电阻率材料上的磁输运有关的陷阱
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机译:通过脉冲电化学沉积制备的Co / Cu和Ag纳米结构薄膜中的磁传输研究
机译:富钴钴-铂磁性薄膜的电沉积:电化学,结构和磁性研究。
机译:纳秒和飞秒脉冲激光沉积法生长和表征Cu(InGa)Se2薄膜
机译:高质量Co:ZnO和Mn:ZnO单晶脉冲激光沉积膜的磁输运特性:与高电阻率材料上的磁输运有关的陷阱
机译:脉冲激光沉积制备LiFepO4薄膜的电化学研究