United Microelectronics Corp., Central Research Development Division, No. 3, Li-Hsin Rd. 2, Science-Based Industrial Park, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C;
机译:化学/机械抛光工艺条件下对Cu / low-k技术的分层分析
机译:有机低k甲基倍半硅氧烷的高度可靠的化学机械抛光工艺
机译:通过有机清洗工艺提高了0.13μm的Cu / low-k双金属镶嵌互连的产量
机译:在0.13μm技术节点下使用铜/ SOD低k互连开发生产有价值的化学机械抛光工艺
机译:用于微电子应用的铜互连和介电膜的化学机械抛光。
机译:对乳乳糖的过程开发的贡献通过使用乳清渗透的完全储存来生产电激活技术
机译:多层铜化学机械抛光工艺的图案相关性建模