Vinca Institute of Nuclear Sciences, P.O. Box 522, 11001 Belgrade, Serbia and Montenegro;
electron microprobe analysis; raman spectroscopy; RBS analysis; reactive sputtering; SiO_2; thin film; XRD analysis;
机译:反应磁控溅射和PECVD沉积SiO_2和TiO_2薄膜的非定向沉积通量的结合
机译:在高工作压力下使用反应性高功率脉冲磁控溅射沉积的抗反射多孔SiO_2薄膜,用于a-Si:H太阳能电池
机译:溅射沉积Zn前驱体膜厚和退火时间对金属靶顺序反应溅射沉积Cu2ZnSnS4薄膜性能的影响
机译:反应溅射沉积的SiO_2薄膜分析
机译:在高温“智能”摩擦应用中,在封闭场不平衡磁控溅射中反应性沉积的氮化铝压电薄膜。
机译:反应磁控溅射沉积TiO2薄膜的光催化性能的途径
机译:使用射频磁控溅射在$ Pt / Ti / SiO_2 / Si $衬底上沉积的$ CaCu_3Ti_4O_ {12} $薄膜的沉积和介电特性