College of Nanoscale Science and Engineering, University at Albany - SUNY, Albany, NY;
quantum dots; tunnel injection; photoluminescence; transmission electron microscopy; semiconductor laser; vertical cavity surface emitting laser;
机译:用于CWDM频段应用的1.3-1.6-μm波长范围内的全外延InAlGaAs-InP VCSEL
机译:全外延基于InP的1.3 / spl mu / m VCSEL的连续波操作,差分量子效率为57%
机译:全外延Fe / GaN(0001)肖特基隧道接触器的电学特性
机译:全外延VCSELS隧道QW-QD InGaAs-Inas增益介质
机译:砷化铝镓-砷化镓镓晶体生长,埋入式隧道接触激光器,晶片键合以及基于砷化镓铝氧化物的VCSEL。
机译:通过上转换技术评估增益转换的InGaN VCSEL直接产生2ps蓝色脉冲
机译:2.4μmGaSb掩埋隧道结VCSEL的带结构和增益腔调谐