TRACIT Technologies -Zone Astec - 15 Rue des Martyrs, F38054 Grenoble Cedex 9;
机译:直接晶圆键合用于熔融石英光栅的封装
机译:室温下GaN-Si直接晶圆键合,用于外延剥离后的薄GaN器件转移
机译:反向硅片直接键合制备准SOI功率MOSFET的器件特性研究
机译:通过直接晶片键合转移到熔融二氧化硅上的新SOI设备
机译:新型1.3微米高速直接调制半导体激光器件设计以及用于顺应性衬底制造的晶圆键合技术的发展。
机译:用于微波和毫米波应用的超薄熔融石英晶片中通孔的制作
机译:基于Gasb的外延到Gaas的晶圆键合和外延转移,用于热光电器件的单片互连
机译:基于Gasb的外延到Gaas的晶圆键合和外延转移,用于热光电器件的单片互连