非ドライエッチングプロセスのSiCトレンチMOSFETデバイス用高温イオン注入マスク形成によるドレイン電流リークの改善

摘要

エネルギー変換装置の小型化、高効率化にむけてSiCパワーデバイスが注目されており、特にトレンチMOSFETは低オン抵抗デバイスとして近年開発が進んでいる。我々はトレンチMOSFET特性と製造プロセスの関係ついて検討しており、その中で高温イオン注入用マスク形成プロセスがドレイン電流リークに及ぼす影響に注目した。従来はドライエッチングにより酸化膜マスクを形成しているが、ここでSiC基板表面にエッチングダメージが入るとドレイン電流リークが増大する、と推定している。そこでドライエッチングなしでイオン注入マスクを形成できる耐熱マスクレジストを適用することによりドレイン電流リークを抑制できると考え、比較検討を行った。