STMicroelectronics, 12, rue Jules Horowitz, F-38019, Grenoble, France;
机译:本地寿命控制IGBT结构在1200V沟槽与新型平面PT-IGBT之间进行硬和软切换时的关断性能比较
机译:基于软件的可编程IGBT IPM死区插入模块,使用16位微控制器,用于三相正弦波和梯形驱动的BLDC电机控制应用
机译:基于软件的可编程IGBTIPM死区时间插入模块,使用16位微控制器,用于三相正弦波和梯形驱动的BLDC电机控制应用
机译:新的IGBT驱动IC,包括1200V,3相变频器应用的先进控制和保护功能
机译:适用于不间断电源和并网可再生能源应用的高级逆变器控制。
机译:影像引导近距离放射疗法(IGBT)结合全盆腔调强放射疗法(WP-IMRT)治疗局部晚期宫颈癌:泰国清迈大学医院的前瞻性研究
机译:基于软件的可编程IGBT IPM死时间插入模块,使用16位微控制器,用于BLDC电机控制应用,具有3相正弦波和梯形驱动器