Sharp Laboratories Europe Ltd, Edmund Halley Road, Oxford Science Park, Oxford U.K.;
InGaN; laser diodes; MBE; semiconductors;
机译:基于MBE生长的II-VI绿色激光器的紫绿色激光器转换器,具有多个CdSe量子点片,由InGaN激光二极管泵浦
机译:使用高温生长的单晶AlN缓冲层在蓝宝石衬底上制造的GaN基蓝紫色激光二极管的室温CW操作
机译:气体源MBE生长的应变补偿1.3μmInAsP / InGaAsP脊形波导激光二极管的特性
机译:MBE种植的CW紫光激光二极管的特征
机译:紫二极管激光器,用于毛细管电泳中的荧光检测。
机译:通过原位脉冲激光拍摄使MBE-生长的GA-DROPLET的容易尺寸重新分配。
机译:MBE制造连续紫激光