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【24h】

Modeling of light and bias stress induced defects in nc-Si:H TFTs

机译:nc-Si:H TFT中光和偏应力引起的缺陷建模

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摘要

Bias stress of nc-Si TFT in dark causes charge trapping Instability of nc-Si TFTs at combined light and bias stress is dominated by defect state creation Existing models for both charge trapping and defect state creation could be fitted to ΔVT curves in our measurements time scale, therefore they are inconclusive in our case
机译:nc-Si TFT在黑暗中的偏压应力会导致电荷陷获nc-Si TFT在组合光下的不稳定性和偏置应力主要由缺陷状态的产生控制。现有的电荷俘获和缺陷状态创建的模型都可以拟合为ΔV T < / inf>曲线在我们的测量时间范围内,因此在我们的情况下它们并不确定

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