超ワイドギャップアモルファス酸化物半導体を用いた ショットキーバリアダイオードの逆バイアス特性

摘要

アモルファスIn-Ga-Zn-O (a-IGZO) に代表されるアモルファス酸化物半導体は、10 cm~2/Vsを超える移動度をもつ薄膜トランジスタを室温で容易に作製できる。薄膜トランジスタ以外の半導体デバイスへの応用も期待されており、a-IGZOを用いたショットキーバリアダイオードは理想因子n ~ 1.04の良好なデバイスを低温作製できるといったことも報告されている。しかし、これまで報告されてきたa-IGZOと貴金属の接合を利用したショットキーデバイスは降伏電圧が16 V程度と低い。そこで近年我々が開発した、より大きいバンドギャップを持つアモルファス酸化ガリウム(a-GO)に着目した。本研究では、a-GOを用いてショットキーバリアダイオードを作製し、Ⅰ-Ⅴ特性・逆バイアス耐圧や光応答の評価を行った。