金ナノ構造からの電子放出を用いた光電場計測素子の開発 Ⅱ

摘要

高強度フェムト秒レーザー技術の発展により，高次高調波発生やトンネルイオン化など，従来の摂動論の枠組みを超えた現象の研究が拓かれた．これらの現象は光電場駆動現象と呼ばれ，瞬時電場の向き・大きさに鋭敏に依存する．故にこれらの本質的な理解や応用発展のためには，励起光であるフェムト秒パルスの電場波形，特にキャリア・エンベロープ位相 (CEP) の計測技術が重要となる．現在主流のCEP計測法として stereo-ATI が挙げられるが，真空装置・高強度レーザーを必要とする問題点がある．そこで本研究では，大気環境下で簡便に CEP を計測できるon-chipデバイスの開発を目的としている．