C面サファイア基板上a-Ga_2O_3の成長初期段階における成長メカニズム

摘要

a-Ga_2O_3は次世代のパワーデバイス材料として昨今注目されている。しかし、サファイア基板とa軸方向に4.8%程度の大きな格子ミスマッチが存在し、さらに1000°C・約4.4万気圧の条件下で合成されるa-Ga_2O_3 が、ミストCVD法を用いることで500°C前後の常圧条件下で成長する理由は未だに解明されていない。本研究では、-Ga_2O_3の成長初期段階に注目し、成長メカニズムの解明を試みた。