Silicon germanium; Annealing; Solid lasers; Germanium; Solids; Conductivity; Electron devices;
机译:在UV熔体激光诱导的非平衡凝固期间,表面偏析Ga,In和Al激活高Ge含量SiGe
机译:紫外熔融激光退火对高Ge含量SiGe中Ga的分离和活化
机译:UV熔体激光退火的高GE含量SiGe中Ga的偏析和激活
机译:紫外熔融激光退火对凝固速率对高Ge含量SiGe中Ga,In和Al活化的影响
机译:基于AlGaN的深紫色激光器中的光学增益和模态损耗=基于Algan的UVC激光二极管中的光学利润和模态损耗
机译:SiGe P沟道NiSiGe肖特基结的微波退火
机译:XTEM观察揭示UV激光脉冲退火的高扩散性和GE偏析SiGeo和Getio非晶膜
机译:硅和砷化镓脉冲激光退火中的熔深和再生动力学