擬単結晶シリコンにおけるΣ3結晶粒の発達と転位クラスターの生成の関係

机译：Σ3晶粒在伪晶体硅中的发展与脱位簇的产生关系

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多結晶シリコン中に導入される転位クラスターは成長方向に伝搬し，インゴット上部では広範囲に広がる．本研究では多結晶シリコンの結晶成長中に非常に低エネルギーで大量に導入されるΣ3 粒界の発達と転位クラスター発生の関係を調べた．試料としてシード単結晶によって[001]方向にキャスト成長した擬単結晶シリコンインゴットを用いた．

机译：引入多晶硅硅的位移簇在生长方向上传播，并在铸锭顶部广泛延伸。在这项研究中，我们调查了三谷边界和脱位集群的发展之间的关系，这在多晶硅晶体生长期间的能量非常低。通过种子单晶在[001]方向上生长的伪单晶硅铸铸作为样品。

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来源
《応用物理学会学術講演会》|2019年|1 CD-ROM|共1页
会议地点
作者
小島拓人; 田島和哉; 松本哲也; 工藤博章; 宇佐美徳隆;
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正文语种
中图分类物理学;
关键词

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