３次元構造撮像デバイスの微細?高集積化に向けた接合電極の微細?狭ピッチ化

摘要

３次元構造撮像デバイスの微細?高集積化にむけて，サ イズ3μm，ピッチ6μm のAu 電極を用いた2 層接合デイジ ーチェーン配線素子を試作した．試作した素子の接合面に 空隙は見られず，良好な接合面が得られたこと，約23 万電 極を超えるAu 電極の同時接合に成功した．また，Au 電極 1 個当たりの抵抗値は約23.6m?であり，接合したデイジー チェーン配線素子の上側基板と下側基板との位置ずれは 1μm 以下であった．これらの結果より，今後，微細化した 電極を撮像デバイスに適用した際にも回路動作に影響のな いことを確認した．