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【24h】

マルチフィジクスシミュレーションを用いたCMOS-MEMS 慣性センサのノイズ解析手法

机译:CMOS-MEMS惯性传感器使用Multijix模拟的噪声分析方法

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摘要

CMOS-MEMS 慣性センサの統合的なノイズ解析手法を 提案した。センサの機械的?電気的ノイズ源を検討し、ノ イズをモデル化した。各ノイズの大きさをVerilog-A を用い たノイズ等価モデルとして、既存の回路シミュレータ上で 表現した。提案したモデルを用いたマルチフィジクスシミ ュレーションの結果と、実際のCMOS-MEMS 慣性センサ のノイズ値とを比較し、提案モデルの妥当性を確認した。 本研究で提案した手法は、今後の慣性センサの統合的なノ イズ解析において重要な役割を果たすと考える。
机译:提出了CMOS-MEMS惯性传感器的集成噪声分析方法。机械?检查电噪声源,并建模噪声。每个噪声的幅度在现有电路模拟器上表示为使用Verilog-A的噪声等同模型。使用所提出的模型和实际CMOS-MEMS惯量传感器的多物理模拟的结果进行了比较,以确认所提出的模型的有效性。本研究提出的方法被认为在未来惯性传感器的集成噪声分析中发挥着重要作用。

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