スパッタ法によって成長したZnO単結晶層の水素ガス応答原理の検討

摘要

本研究では，サファイア[α-Al_2O_3(0001)]基板上に成長したZnO単結晶層を用いて，H_2ガスセンサの作製を行い，その膜厚における応答の検討を行った。膜厚2.6μmまでは膜厚の増加に伴って感度が向上したが，3.5μmでは感度が低下した。このことは，ZnO層の厚さと吸着酸素によって形成される空乏層の厚さの関係や，それらによる電流経路の違いに関係していると考えられ，現在検討中である。