Temperature; PHEMTs; Temperature measurement; Temperature dependence; Indium phosphide; III-V semiconductor materials; Transconductance;
机译:用于低噪声放大器的先进高应变In0.7Ga0.3As / In0.52Al0.48As pHEMT的经验模型的优化
机译:具有极低栅极泄漏的低强度应用的拉伸In0.3Al 0.7As势垒和压缩In0.7Ga0.3As通道pHEMT的制备和表征
机译:增强/耗尽型双δ掺杂AlGaAs / InGaAs pHEMT的温度相关特性及其单片DCFL集成
机译:In0.7Ga0.3As PHEMT的低温特性
机译:内华达州沥青粘合剂和混合物的低温和老化特性。
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:采用液相沉积TiO2作为栅介质降低alGaas / InGaas pHEmT的亚阈值特性和闪烁噪声
机译:高性能假晶双异质结Inalas / In0.7Ga0.3as / Inalas HEmTs的实验和理论特性。