DUV photoresist; photoresist poisoning; dual damascene; low k dielectric OSG films;
机译:Beol处理:表面准备,清洁,剥离低k电介质,铜互连变得更加成问题
机译:具有竞争力且经济高效的铜/低k互连(BEOL),用于28 nm CMOS技术
机译:具有极低k多孔SiOCH电介质的32 nm节点BEOL集成k = 2.3
机译:BEOL互连中低k电介质的248 nm光刻兼容性
机译:用于高级互连的多孔低k电介质的机械可靠性:多孔低k电介质的不稳定性机理及其通过惰性等离子体引发的骨架结构再聚合的介导研究。
机译:铜低k互连中随时间变化的介电击穿:机理和可靠性模型
机译:从头开始模拟低k和超低k电介质互连