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Structural and Electronic Properties of Polycrystalline Cu(In,Ga)(S,Se)2 Alloys

机译：多晶Cu（In，Ga）（S，Se）2合金的结构和电子性质

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We present a systematic study on the polycrystalline Cu(In,Ga)(S,Se)2 alloys with a gallium to indium ratio of Ga/(Ga+In)<0.3 and a sulfur to selenium ratio varying in the range between 0 ~~展开▼~~

机译：我们对镓与Ga /（Ga + In）<0.3的铟比例的多晶Cu（In，Ga）（s，se）2合金提供系统的系统研究，并在0 <的范围内变化为硒比的硫比率。 S /（S + SE）<1.所有样品在高真空条件下以恒定速率的恒定速率的成分生长。岛状（Cu，S，Se）偏析的形成与硫含量与硒比层和在富铜相边界附近的生长区域中发现。这些偏析与富含铜生长模式中的硫的优选掺入有关。我们从富含富含铟的生长模式取得太阳能电池级材料，从而高达硒硫S /（S + SE）= 0.9.A的详细分析MO / CIGSSE / CDS / ZnO的电子和光学性质：Al Heterojunctions允许我们确定Cu（In，Ga）内的带的能量位置（S，SE）2合金系统。我们发现与Cu（In，Ga）（Se）2合金系统相反，价带位置显着随着带隙的增加而降低。展开▼

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来源
《Materials Research Society》|2001年||共6页

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作者
I.M.Kotschau; M.Turcu; U.Rau;
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中图分类 TN304.53-532;

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