III-V semiconductors; aluminium compounds; gallium arsenide; indium compounds; surface emitting lasers; 0.9 V; 1.4 to 2 micron; 1.5 mW; 10 Gbit/s; 100 degC; 7 mW; AlGaInAs-InP; CW operation; SMSR; long wavelength VCSEL; modulation bandwidth; single-mode VCSEL; threshold;
机译:1.3至1.55的全光波长转换,用于VCSEL至VCSEL的反相和逻辑
机译:长波长VCSEL-by-VCSEL光学注入锁定
机译:基于InP的长波VCSEL和VCSEL阵列
机译:用于10 Gb以太网的VCSEL发射器:用于城域网的1.3 / splμ/ m波长vcsels,以及用于多模光纤和光背板波导上的数据传输的封装850 nm波长VCSEL
机译:基于VCSEL的波分复用通信中的半导体光放大器分析
机译:集成双波长VCSEL底部使用电泵浦的GaInAs / AlGaAsAs 980 nm腔顶部使用光泵浦的GaInAs / AlGaInAs 1550 nm腔
机译:长波长VCSEL和基于VCSEL的微波信号处理
机译:基于VCsEL-光子晶体结构的波长尺度微激光器。