Monte Carlo model of GaAs nanowhisker growth

机译：GaAs Nanowhisher Grow的蒙特卡罗模型

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GaAs nanowhisker growth according to vapor-liquid-solid mechanism was realized on the basis of the lattice Monte Carlo model. Different solubility of Ga and As atoms in Au drop was taken into account in the model. Nanowhisker growth on GaAs(111)B surface activated by golden drops was demonstrated.

机译：根据蒸汽 - 液固机构的GaAs Nanowhisker生长是在格子蒙特卡罗模型的基础上实现的。在模型中考虑了Ga的不同溶解度和Au下降中的原子。纳瓦须在GaAs（111）B的增长，通过金滴激活的B表面。

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来源
《International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices》|2011年||共3页
会议地点
作者
Knyazeva Maria V.; Nastovjak Alla G.; Shwartz Nataliya L.;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类 TB383-53;
关键词
GaAs; Monte Carlo; nanowhisker;

机译：Gaas;蒙特卡洛;纳米凯克;

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