АРСЕНИД-ГАЛИЕВЫЙ НАНОСТРУКТУРНЫЙ ДИОД С НЕРЕЗОНАНСНЫМ ТУННЕЛИРОВАНИЕМ

摘要

Малосигнальный импеданс микроволнового диода на GaAs/AlGaAs/GaAs наноструктуре с туннельной инжекцией электронов через одиночный потенциальный AlGaAs барьер и пролётом в GaAs дрейфовом слое исследуется. Рассчитаны частотные зависимости импеданса диода с шириной барьерного слоя 2.5 нм и высотой 0.3 еВ при различной величине диаметра диода и угла пролёта. Максимальная величина отрицательной проводимости около 200 мС получена при оптимальных угле пролета 1.1л и диаметре диода 25 μм.